【技术/产品概述】采用国内首创高纯碳化硅粉料合成工艺技术，研究了合成碳化硅粉料的物理化学机理、纯度、合成温度等参数对碳化硅粉料合成粒度、纯度及晶型结构的影响， 掌握了合成粉料工艺，用该方法合成的碳化硅粉料粒度可控， 纯度大于 99.999%，技术水平达到国际先进水平。攻克了晶型控制、微管缺陷控制、深能级点缺陷控制等核心关键技术，实现 4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底产业化，经下游客户批量化应用验证，评价为“使用该产品制作的 GaN HEMT 器件效果与美国Cree 相当，技术水平达到国际先进水平”。
【技术指标/产品性能】（1）4 英寸高纯半绝缘碳化硅双面抛光片：微管密度≤2m2，电阻率> 108?·cm，总厚度偏差≤10μm/弯曲度≤25μm/翘曲度/≤35μm。（2）6 英寸高纯半绝缘碳化硅双面抛光片：微管密度＜2m2，电阻率> 105?·cm，总厚度偏差≤15μm/局部平整度≤5μm/弯曲度≤40μm/翘曲度
≤60μm。（3）6 英寸 N 型碳化硅双面抛光片：微管密度＜2m2， 电阻率 0.015?·cm～0.025?·cm，总厚度偏差≤15μm/局部平整度≤5μm/弯曲度≤40μm/翘曲度≤60μm。
【转化形式】合作开发。
【应用场景】4—6 英寸高纯半绝缘 4H-SiC 单晶衬底：
5G 基站、卫星雷达、电子对抗等领域。6 英寸 N 型 4H-SiC 单晶衬底：新能源汽车、轨道交通、特高压、光伏逆变器等领域。
【所处阶段】批量生产、成熟应用阶段。
【预期效益】碳化硅材料体积小巧，功能强大且效率极 高。由碳化硅制成的半导体可以帮助将电池和传感器中的电力电子技术提升到一个新的水平，为电动汽车的突破和支持工业领域的数字化作出重大贡献。预计投资回收期 7 年，预期回报率 14%。